光刻工艺关键材料，光刻胶国产化正当时—《半导体材料》系列之二
光刻胶是利用光化学反应经曝光、显影、刻蚀等工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基衬底上的有机化合物。光刻胶作为技术壁垒最高的微电子化学品之一，是半导体光刻工艺的重要组成部分。根据华经产业研究院数据，按照应用领域划分，LCD光刻胶占比为27%，PCB光刻胶占比25%，半导体光刻胶占比为24%，其他光刻胶占比为24%。从技术壁垒看，半导体光刻胶>LCD光刻胶>PCB光刻胶。
光刻胶与光刻工艺息息相关。光刻机是半导体工艺进步的“引擎”，光刻胶是光刻机的“燃料”，光刻机曝光光源从宽谱紫外线发展到I线（365nm）、KrF线（248nm）、ArF线（193nm）以及目前最前沿的EUV（13.5nm）光源，不同的光源需要使用不同的光刻胶。为满足对于分辨率及套刻精度的要求，集成电路工艺在从90nm节点拓展到7nm节点的过程中，其使用的光刻胶越来越复杂，性能要求越来越高。
需求分析：从中长期看，受益于智能汽车、IOT、5G、云计算等下游应用市场的持续增长，半导体需求将会持续增长，全球晶圆制造市场将供不应求。根据Knometa Research研究数据，考虑到半导体需求增长与地缘政治因素，2022-2025年全球将迎来半导体晶圆厂扩建潮，新增41个晶圆厂，其中32座位于亚洲，新建晶圆厂以12英寸为主，预计中国大陆新增8座。我们认为国内光刻胶需求将会持续增长，据中商情报网数据显示，2021年我国光刻胶市场规模为93.3亿元，年复合增长率为12.28%，预计2022年我国光刻胶市场规模达到98.6亿元。
供给分析：在全球光刻胶行业，日本、美国企业占据绝对优势。从全球市场来看，2021年光刻胶行业CR6约为88%，东京应化、JSR、住友化学、富士胶片四大日本企业分别占据27%、13%、12%、8%的市场份额。国内本土光刻胶企业与国外企业相比差距较大，主要覆盖PCB、平板显示领域为主，在半导体领域，G线光刻胶、I线光刻胶已经基本可以实现国产替代，KrF光刻胶是目前主要的突破方向，ArF光刻胶基本都处于研发过程中，突破尚需时间。
光刻胶是半导体光刻工艺关键材料，其质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。在半导体晶圆制造材料中，光刻胶是技术壁垒最高的细分领域，目前，日美企业垄断高端半导体光刻胶市场，国产替代具有紧迫性。我们认为光刻胶国产化是大势所趋，投资机会分析如下：
（1）光刻胶企业：目前国内光刻胶企业中，主要集中于PCB和面板显示领域，半导体光刻胶占比较低，半导体光刻胶尤其是高端半导体光刻胶企业具有比较好的投资机会；
（2）光刻胶配套试剂：在光刻胶专用电子化学品中，感光树脂、光引发剂等同样具有比较高的技术壁垒，国产率较低，半导体光刻胶专用配套试剂行业具有比较好的投资机会。
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